Samsung ha iniciado la producción en masa de su más reciente paquete de memoria multichip para smartphones, que combina DRAM y NAND. Según explica el fabricante, ello servirá para extender las especificaciones de sus dispositivos emblemáticos a un mercado más amplio.

El paquete multichip LPDDR5, basado en UFS (uMCP), integra la DRAM más rápida de Samsung con su más reciente memoria flash UFS 3.1. El fabricante propone esta configuración para los smartphones de gama alta y media.

La firma asegura que ha llevado a cabo pruebas de compatibilidad con varios fabricantes de smartphones y que espera que los dispositivos con uMCP lleguen a algunos mercados ya en junio.

El rendimiento de la memoria DRAM del LPDDR5 es de 25 GBps, superior a los 17 GBps de su predecesor, el LPDDR4X 2.2. El rendimiento de la NAND se ha duplicado hasta los 3 GBps. Samsung afirma que, gracias a estas mejoras, los dispositivos de gama media podrán ofrecer funcionalidades reservadas hasta ahora a los modelos de gama alta, y pone como ejemplos la fotografía, la realidad aumentada y los juegos que hacen un uso intensivo de los gráficos.

El paquete mide 11,5×13 mm y se ofrece con capacidades de DRAM que van de 6 a 12 gigabytes, y opciones de almacenamiento que van de 128 a 512 gigabytes.

Sohn Young-soo, vicepresidente del equipo de planificación de productos de memoria de Samsung, afirma que el LPDDR5 ofrece “experiencias ininterrumpidas de streaming, juegos y realidad mixta”.

Según el directivo, Samsung cuenta con que el LPDDR5 “acelere la transición del mercado hacia la 5G y a lo que venga después, y contribuya a incorporar el metaverso a nuestra vida cotidiana con mucha mayor rapidez”.