Samsung Electronics ha presentado la siguiente generación de memoria DRAM GDDR, con un chip de 24 gigabytes (GB) que, según la empresa, ofrece velocidades operativas de 40 Gbps, lo que supone una mejora del 25% con respecto a la anterior versión de 16 GB.

Gracias a un proceso de producción de 10 nm, la empresa ha incrementado en un 50% la densidad de celdas dentro de un encapsulado idéntico al de su chip anterior, lanzado en 2023.

Samsung explica que ha mejorado la eficiencia energética en más del 30% gracias a tecnologías usadas previamente en productos de telefonía móvil. A fin de aumentar la estabilidad operativa, se ha utilizado un método de diseño del control de potencia que minimiza la fuga de corriente durante las operaciones de alta velocidad.

Este año, Samsung ha validado la DRAM GDDR7 en sistemas de computación para IA de próxima generación destinados a clientes de GPU, y prevé que el chip esté disponible en el ámbito comercial para 2025.

Hace poco, Jun Young-hyun, director de la división de memoria de Samsung, se disculpó públicamente por los retrasos en la disponibilidad de sus nuevos chips de memoria de gran ancho de banda (HBM) destinados a impulsar las aplicaciones de IA.




Su rival, SK Hynix, ya había explicado en detalle su trabajo en una memoria DRAM GDDR7 con velocidad de transferencia de 32 Gbps.

La firma de análisis TrendForce explica que la GDDR7 es la tecnología más reciente de la familia GDDR, utilizada sobre todo para mejorar el ancho de banda disponible y la capacidad de memoria de las GPU.

Según la firma, se espera que la próxima generación de DRAM haga avanzar resueltamente el mercado de memoria en la era de la IA.

TrendForce añade que la GDDR7 se utiliza sobre todo en “procesamiento de gráficos, juegos, computación, redes e IA”, donde las “capacidades de transmisión de datos de alta velocidad y gran ancho de banda pueden mejorar significativamente la fluidez de frames y la velocidad de carga”.